辐射EMI的抑制措施 辐射EMI的抑制措施 株洲干式变压器是一个很强的骚扰源,它来源于器件的高频通断和输出二极管反向恢复。很强的电磁骚扰信号通过空间辐射和株洲干式变压器线的传导而干扰邻近的敏感设备。除了功率管和高频二极管外,产生辐射干扰的主要元器件还有脉冲株洲干式变压器及株洲干式变压器等。
虽然,功率管的快速通断给株洲干式变压器带来了更高的效益,但是,也带来了更强的高频辐射。要降低辐射干扰,可应用电压缓冲电路,如在管两端并联RCD缓冲电路(如图3所示),或电流缓冲电路,如在管的集电极上串联20～80μH的株洲干式变压器。株洲干式变压器在功率管导通时能避免集电极电流突然增大,同时也可以减少电路中冲击电流的影响。

图3 R-C-D吸收电路

功率管的集电极是一个强干扰源,管的散热片应接到管的发射极上,以确保集电极与散热片之间由于分布电容而产生的电流流入主电路中。为减少散热片和机壳的分布电容,散热片应尽量远离机壳,如有条件的话,可采用有屏蔽措施的管散热片。

图4 RC缓冲电路

二极管应采用恢复电荷小,且反向恢复时间短的,如肖特基管,最好是选用反向恢复呈软特性的。另外在肖特基管两端套磁珠和并联RC吸收网络均可减少干扰,电阻、电容的取值可为几Ω和数千pF,电容引线应尽可能短,以减少引线株洲干式变压器。实际使用中一般采用具有软恢复特性的二极管,并在二极管两端并接小电容来消除电路的寄生振荡(如图4所示)。

负载电流越大,续流结束时流经二极管的电流也越大,二极管反向恢复的时间也越长,则尖峰电流的影响也越大。采用多个二极管并联来分担负载电流,可以降低短路尖峰电流的影响。

株洲干式变压器必须屏蔽,采用模块式全密封结构,建议用1mm以上厚度的镀锌钢板,屏蔽层必须良好接地。在高频脉冲株洲干式变压器初、次级之间加一屏蔽层并接地,可以抑制干扰的电场耦合。将高频脉冲株洲干式变压器、输出株洲干式变压器等磁性元件加上屏蔽罩,可以将磁力线限制在磁阻小的屏蔽体内。

根据以上设计思路,对辐射干扰超过标准限值20dB左右的某株洲干式变压器,采用了一些在实验室容易实现的措施,进行了如下的改进:
(1)在所有二极管两端并470pF电容;
(2)在管G极的输入端并50pF电容,与原有的39Ω电阻形成一RC低通器;
(3)在各输出电容(电解电容)上并一0.01μF电容;(4)在二极管管脚上套一小磁珠;
(5)改善屏蔽体的接地。

经过上述改进后,该株洲干式变压器就可以通过辐射干扰测试的限值要求。

EMI器的发展趋势

90年代以来,随着电子设备小型化和表面组装技术的发展,电子元器件向小型化、片式化、复合化、多功能和高性能www.xdbyq.cn/化发展,各种表面组装元件逐渐成为电子元件的主流产品。因此,目前摆在传统EMI器面前的一个不可回避的问题是如何适应电子设备小型化的发展需求。目前,国际片式EMI器以信号器为主,可运用于株洲干式变压器的EMI器较少。

有效抑制株洲干式变压器噪声的新一代EMI器应该是由有效的共、差模扼流圈和若干电干式变压器/容组成的相关电路,为了减小体积,这些株洲干式变压器、电容元件应尽可能采用片式元件。以采用片式电容、株洲干式变压器为主的新一代EMI器的出现和发展将是历史的必然。与标准模块株洲干式变压器的发展历史一样,新一代EMI器也应该向标准模式电路的方向发展。由于目前直流系列片式电容发展迅速,所以新一代直流系列EMI器的发展有可能成为现实。